CMP

刚切割后的晶圆表面有瑕疵且粗糙，会影响电路的精密度，因此需要对其进行进一步的加工，利用CMP工艺，即使用抛光液和CMP设备将晶圆表面研磨至光滑。每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP晶圆抛光工艺。

CMP研磨液（SLURRY）是工件表面平坦化工艺过程中所使用的一种混合物，由研磨材料及化学添加剂组成。晶片（WAFER）表面是不平整的，并且制作过程中烟尘较大，无法保证其平整度合格；因此就需要化学机械研磨平坦化的协助，即将研磨液与研磨刷进行搭配使用，通过用力摩擦和拼命旋转的过程，将不平整的部分给磨平。而磨掉的部分包括有铜膜、氧化硅膜、钨膜、硅膜、LOW-K膜等等。